第一章 标的公司基本信息

　　第一节 工商基本信息

　　第二节 股权结构

　　第三节 对外投资情况

　　第四节 主要经营资质证书

　　第五节 组织架构及员工情况

　　一、公司法人治理结构

　　二、公司组织架构

　　三、员工情况

　　第六节 财务数据

　　第七节 主要资产情况

　　一、固定资产

　　二、无形资产

第二章 标的公司业务分析

　　第一节 公司整体业务架构

　　第二节 氮化镓衬底业务

　　一、采购模式

　　二、研发模式

　　三、生产模式

　　四、销售模式

　　五、盈利模式

　　第三节 主要产品工艺

　　一、工艺流程

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第三章 目标公司所在行业市场分析

　　第一节 半导体材料行业概况

　　一、半导体材料

　　半导体产业链具体包括上游供应、中游制造和下游应用。其中，半导体材料处于上游供应环节，材料品类繁多。半导体材料和设备是基石，是推动集成电路技术创新的引擎。

　　半导体材料分为制造材料和封装材料，其中制造材料主要是制造硅晶圆半导体、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物半导体的芯片过程中所需的各类材料，在集成电路、分立器件等半导体产品生产制造中起到关键性的作用。

　　常见的半导体材料包括硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体及砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看，上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。

　　第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表，其典型应用是集成电路，主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。

　　第二代半导体材料是以砷化镓为代表，砷化镓材料的电子迁移率约是硅的 6倍，具有直接带隙，故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能，因此被广泛应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。

　　第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，此外，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。

　　各代半导体材料的产品性能、成本和技术成熟程度不同，其下游应用方向和领域也有所差异。目前市场上的半导体仍以第一代硅基材料为主，产品占比超过90%，第二代和第三代半导体材料在高温、高压和高频领域更多是作为有效补充，但随着摩尔定律失效，以及第三代半导体产品成本的降低，未来有望逐渐替代部分硅基半导体市场份额。

　　二、第三代半导体材料

　　第三代半导体主要是由于制造材料的不同而有别于第一代和第二代半导体。国际上一般把禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV)的半导体材料称之为第三代半导体材料，常见的第三代半导体材料包括：碳化硅、氮化镓、金刚石、氧化锌、氮化铝等。其中，碳化硅和氮化镓技术发展相对成熟，已经开始产业化应用，而金刚石、氧化锌、氮化铝等材料尚处于研发起步阶段。

　　第三代半导体具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求，是5G、人工智能、工业互联网等多个“新基建”产业的重要材料，同时也是世界各国半导体研究领域的热点。其在国防、航空、航天、石油、是有勘探、光存储等领域有重要应用场景，在宽带通讯、太阳能、汽车制造、半导体照片、智能电网等众多战略行业，可以降低50%以上的能量损失，最高可以使装备体积减小75%以上。

　　第三代半导体材料主要可应用于光电、电力电子和微波射频三大领域。从当前来看，碳化硅(SiC)目前主要是用在650V以上的中高压功率器件领域，并偏向1000V以上的范围，具有高压、高温、高频三大优势，并且比硅基器件更轻、更小巧。氮化镓(GaN)主要是用在650V以下的中低压功率器件领域及微波射频和光电领域。不过，GaN器件未来也有机会进一步往600～900V发展。

　　三、第三代半导体生产过程及工艺难点

　　(一)生产过程

　　第三代半导体的产业链包括衬底→外延→设计→制造→封装。其中，衬底是所有半导体芯片的底层材料，起到物理支撑、导热、导电等作用。外延是在衬底材料上生长出新的半导体晶层，这些外延层是制造半导体芯片的重要原料，影响器件的基本性能。设计包括器件设计和集成电路设计，其中器件设计包括半导体器件的结构、材料，与外延相关性很大。制造需要通过光刻、薄膜沉积、刻蚀等复杂工艺流程在外延片上制作出设计好的器件结构和电路。封装是指将制造好的晶圆切割成裸芯片。

　　以下讨论的生产工艺及其难点，主要讨论全产业链的前两个环节，即衬底和外延生长。

　　(二)氮化镓：衬底与外延材料需匹配

　　由于GaN在高温生长时镓的离解压很高，很难得到大尺寸的GaN单晶衬底材料，当前大多数商业器件是基于异质外延的，即选择蓝宝石、SiC 和Si材料衬底来替代GaN器件的衬底。制备异质衬底上的外延GaN膜已成为研究和生产GaN材料和器件的主要手段。目前，GaN的外延生长方法有：HVPE、分子束外延(MBE)、原子束外延(ALE)和MOCVD。其中，MOCVD是最广泛使用的方法之一。

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　　四、半导体材料行业未来发展趋势

　　第二节 氮化镓行业概况

　　一、氮化镓

　　(一)定义

　　氮化镓化学式为GaN，英文名称为Gallium Nitride，是氮和镓的化合物，属于第三代半导体材料，通常情况下为白色或者微黄色的固体粉末，具有稳定性高、熔点高、坚硬的特点。

　　(二)结构

　　氮化镓有三种晶体结构，分别为纤锌矿、闪锌矿和岩盐矿，其中六方纤锌矿结构是稳态结构，存在形式最为广泛，立方闪锌矿是亚稳态结构，立方岩盐矿结构只有在极端高压情况下才会出现。纤锌矿结构的氮化镓是六角晶胞结构，即每个晶胞中含有6个氮(N)原子和6个镓(Ga)原子。晶格常数有a和c两个, a=0.3189nm，c=0.5185nm。纤锌矿结构的氮化镓存在两套米牌子晶格，分别仅包含Ga原子或仅包含N原子，这些原子沿c轴相互错开5/8c(c为晶格常数)。

　　(三)性能

　　氮化镓作为第三代半导体材料的前沿代表，与前代半导体材料相比，多项指标有显著提升。禁带宽度、饱和电子漂移速率等性能是衡量半导体材料性能高低的重要因素。禁带宽度越长的材料，泄漏电流越少，功耗损失越小，功率越高。电子漂移速率越大的材料，导通电阻越低，功率损耗越小。介电常数越低的材料，越不易被击穿，更耐高电压环境。击穿场强越高的材料，耐高压特性越强。热导率和最高工作温度越大的材料，越耐高温，散热要求越低。

　　与硅、砷化镓和碳化硅相比，氮化镓材料临界电场强度、禁带宽度、饱和电子漂移速率、最高工作温度等指标表现优异，具有耐高温、耐高压、高功率的特点;但热导率不及碳化硅，散热能力相较碳化硅较弱。

　　(四)发展历程

　　1969年，日本科学家沉积出氮化镓薄膜。1969年至1997年是氮化镓材料的萌芽期，该阶段氮化镓研究仅限实验室范围，研发难度大，发展进程较为缓慢，且氮化镓尚未实现商业化。1998年至2012年，氮化镓的研发进程逐渐从实验室向高新技术企业转变，但主要集中于美国、日本公司，同时氮化镓材料实现了商业化，应用领域由LED照明拓展到电力电子和射频电子领域。2013年之后，全球范围内氮化镓厂商不断增多，中国企业也实现了氮化镓产业链的全覆盖。

　　二、氮化镓衬底

　　(一)衬底分类

　　氮化镓晶体可以在各种衬底上生长，衬底材料可分为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓自支撑衬底四种材料。由于氮化镓单晶衬底生长尺寸受限，氮化镓器件通常在异质衬底(蓝宝石、碳化硅和硅)上生长外延片。

　　1、氮化镓基氮化镓(GaN-on-GaN)

　　氮化镓单晶衬底是外延氮化镓最理想的衬底，缺陷密度低，外延材料质量好。但氮化镓单晶生长设备要求高，控制工艺复杂，现有设备技术生产出的氮化镓衬底位错缺陷密度较高，良率较低，且相关技术发展较慢，氮化镓衬底片成本较高，应用受到限制。主流氮化镓衬底产品以2英寸为主，4英寸也已经实现商用。

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　　(二)衬底材料制备工艺

　　目前GaN单晶衬底以2-4英寸为主，4英寸已实现商用，6英寸样本正开发。GaN体单晶衬底生长的主要方法有氢化物气相外延法(HVPE)、氨热法，以及助熔剂法三种。

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　　三、氮化镓产业链

　　在上游供应方面，氮化镓的原料主要从硝酸盐、金属镓中获取;在中游制造方面，最主要的工序即衬底和外延生长，这是材料技术的关键点所在;在下游应用方面，氮化镓一般用于器件/模块的制造，最终形成半导体产品应用于军工雷达、快充、5G基站、新能源汽车等各个领域。

　　国内氮化镓企业以IDM模式(集设计、制造、封装测试到销售等多个产业链环节于一身的半导体垂直整合型公司)为主，充分挖掘行业技术潜力，且有条件率先实验并推行新技术。随着行业规模不断拓展，设计与制造环节已经开始出现分工，如传统硅晶圆代工厂台积电已经开始提供GaN制程的代工服务。

　　从产业链各环节来看，欧美日企业发展较早，技术积累、专利申请数量、规模制造能力等方面均处于绝对优势，中国在自主替代大趋势下，目前在产业链各环节均有所涉足，在政策支持下已在技术与生产方面取得进步。

　　第三节 第三代半导体材料行业发展现状

　　一、半导体材料行业市场规模

　　(一)全球

　　全球半导体材料产业规模与全球半导体市场规模同步增长。根据国际半导体产业协会数据，2022年全球半导体材料市场销售额增长8.8%，达到727亿美元，超过了2021年创下的668亿美元的前一市场高点。受益于5G、人工智能、消费电子、汽车电子等领域的需求拉动，全球半导体材料市场规模呈现波动向上的态势，预计2023年将达到752亿美元。

　　(二)中国

　　近年来，随着国内半导体材料厂商不断提升半导体产品技术水平和研发能力，中国半导体材料国产化进程加速，中国市场成为全球增速最快的市场。国际半导体产业协会数据显示，2022年国内半导体材料市场规模约914.4亿元，预计2023年市场规模将增至1024.34亿元。

　　二、第三代半导体材料渗透率

　　根据Yole数据显示，Si仍是半导体材料主流，占比约95%。第三代半导体渗透率逐年上升，SiC渗透率在2023年有望达到3.75%，GaN渗透率在2023年达到1.0%，第三代半导体渗透率总计4.75%。

　　第四节 氮化镓下游应用领域情况

　　在需求端，我国氮化镓器件行业下游应用领域主要包括光电子领域、射频电子领域与电力电子领域，其中光电子领域占比68%，射频电子领域占比20%，电力电子领域占比10%，其他领域占比2%。

　　一、光电子领域

　　相较于传统的硅材料，氮化镓具有更高的电子迁移率、更宽的能隙、更好的热导率和更高的韧性。这些特性使得氮化镓器件在光电子领域具有重要的应用优势。氮化镓材料可以用于制备高性能的LED(发光二极管)和LD(激光二极管)器件。

　　(一)LED

　　LED具有高亮度、低功耗、长寿命和环保等优点，被广泛应用于室内和室外照明、汽车车灯、显示屏、信号灯等领域。

　　根据LED inside分析，2022年全球Mini LED及Micro LED的市场产值预计将会达到13.8亿美元。下一代Mini LED背光技术将是各家厂商的开发重点，至2023年Mini LED市场规模预计会达到10亿美元。其中显示屏应用成长速度最快，2018年至2023年CAGR预计超过50%。而高反应速度的Micro LED也是热门的新一代显示概念，根据Yole数据，Micro LED市场规模在2022年突破11亿美元。2025年产业链成熟后，将达到3.3亿台的出货量，其中智能手机出货量将超过2亿台，可穿戴设备(AR、智能手表等)以及超大屏显示应用规模也将突破1亿台。

　　(二)LD

　　GaN基激光器具有波长可调、能量集中、效率高、体积小、可大规模生产等优点，在激光显示、激光照明、激光加工、水下通信、生化检测等领域具有广泛的应用前景。自从1995年日本的日亚公司研制出世界上第一只GaN基激光器以来，经过多年努力，GaN基蓝光激光器已逐步实现商业化。GaN激光器主要有以下应用场景：

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　　二、射频电子领域

　　氮化镓射频器件主要应用于军用雷达、卫星通讯、5G基站等方面，由于涉及国家安全，海外企业对高性能氮化镓器件实行对华禁运。在国产替代的迫切要求下，相关氮化镓射频器件企业已逐步打破国外垄断，取得技术进步。

　　根据Yole数据，2018年全球GaN射频器件市场规模为6.45亿美元，其中无线通讯应用规模为3.04亿美元，军事应用规模为2.7亿美元，占整体市场的88.99%;2020年GaN射频器件市场规模为8.91亿美元，复合年增长率将达17.53%。未来在电信基础设施以及国防两大应用的推动下，预计到2024年，GaN射频器件市场规模将增长至20.01亿美元，年复合增长率为22.42%，其中无线通讯应用规模将达到7.52亿美元，同比增长147.43%，射频相关应用规模从200万美元大幅增长至1.04亿元，增长近50倍。预计到2026年GaN射频器件市场规模将会达到24亿美元。

　　而根据行家说Research《2022氮化镓功率与射频产业调研白皮书》数据显示，2015年，全球GaN射频器件的总销售额为3亿美元，2021年已经接近10亿美元，2022年市场规模约为11.09亿美元，预计2027年将增长到28.22亿美元，2021-2027年全球GaN射频器件市场的年复合增长率为18.95%。其中，国防应用的GaN市场在2027年将达到15.41亿美元，通讯设施应用的GaN市场在2027年将达到10.46亿美元，二者合计约占整个GaN应用市场约92%。

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　　三、电力电子领域

　　第五节 氮化镓衬底市场竞争情况分析

　　一、市场竞争格局

　　二、主要竞争企业

　　三、潜在竞争对手

第四章 业务发展规划

　　第一节 业务发展规划

　　一、生产基地扩张计划

　　二、技术研发规划

　　三、产能规划

　　四、产品发展规划

　　五、团队扩张规划

　　第二节 业绩预测

　　一、标的公司内部预测

　　二、尚普华泰预测

　　(一)国内衬底市场规模

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　　(二)氮化镓基衬底渗透率

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　　(三)目标公司市场占有率

　　(四)营业收入

　　(五)尚普华泰预测

　　根据上述营业收入、目标公司产品产能及单价，可以计算出预计销量(取整数)。根据尚普华泰预测，2028年目标公司衬底销售收入约***万元。

　　成本采用标的公司提供数据，估算2028年净利润约***万元，净利润率为**%。

　　第三节 业绩发展资金支撑

第五章 业务风险分析

　　第一节 氮化镓衬底市场发展空间短期有限

　　第二节 技术产业化面临挑战较多

　　第三节 市场拓展风险分析及防范措施

　　第四节 市场竞争风险分析及防范措施

　　第五节 产能建设进度风险分析及防范措施

　　第六节 政策监管风险分析及防范措施

第六章 业务尽调结论

　　第一节 业务发展优势

　　第二节 业务发展限制

　　第三节 投资建议

完整版附件请点击下载：某半导体公司商业尽职调查报告案例.pdf